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SK海力士4D闪存再突破:全球首个做到量产128层

来源:TechWeb 作者:TechWeb 日期:2019-06-26 23:17

【TechWeb】近日,SK海力士宣布,已经成功研发并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片,虽然包括SK海力士在内多家厂商都研发出了1Tb QLC闪存,但这是TLC闪存第一次达到单颗1Tb。距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月,SK海力士还表示,正在研发176层堆叠的下一代4D NAND闪存。

SK海力士的4D NAND闪存技术是去年10月份官宣的,SK海力士这次使用TLC设计开发新产品,相比先前96层使用的QLC,TLC的性能、处理速度都有了不同程度的提升,还应用了垂直蚀刻、多层薄膜颗粒形成、低电力回路设计等技术,制造出堆栈3600亿以上NAND颗粒、128层的1Tb产品,不仅达到业界最高堆栈数,也超越三星电子量产的90层NAND。

利用这种架构设计,SK海力士在从96层堆叠到128层堆叠时,虽然层数增加了三分之一,但是制造工艺步骤减少了5%,整体投资也比之前减少了60%。新的128层4D闪存单颗容量1Tb,是业内存储密度最高的TLC闪存,每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增加了40%。

SK海力士相关人士表示,新闪存可以在1.2V电压下实现1400Mbps的数据传输率,可用于高性能、低功耗的手机存储、企业级SSD。

 
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